2N7002,215

Symbol Micros: T2N7002 NXP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 30V; 5Ohm; 300mA; 830mW; -65°C~150°C; 2N7002.215;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5Ohm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 830mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: 2N7002,215 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
178 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2550 0,1289 0,0782 0,0619 0,0564
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: 2N7002,215 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
57000 stk.
Anzahl Stück 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0564
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 5Ohm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 830mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Montage: SMD

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