2N7002,215
| Widerstand im offenen Kanal: | 5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 300mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 830mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1334 | 0,0612 | 0,0332 | 0,0249 | 0,0222 |
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0359 |
| Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0241 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 300mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 830mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
2N7002 N-Kanal-MOSFET-Transistor SOT-23 NXP
Der Transistor 2N7002 ist einer der bekanntesten und am häufigsten eingesetzten N-Kanal-MOSFET-Feldeffekttransistoren in der digitalen und analogen Niedrigleistungselektronik. Hergestellt von NXP und geliefert im miniaturisierten SOT-23-Gehäuse, ist er eine Schlüsselkomponente überall dort, wo hohe Schaltgeschwindigkeit und eine effiziente Verarbeitung von Niedrigstromsignalen erforderlich sind. Seine Architektur ermöglicht eine einfache Ansteuerung über Logikpegel von Mikrocontrollern.
Wichtige Eigenschaften und Spezifikationen des 2N7002 Transistors
Der 2N7002 Transistor wird für seine einfache Handhabung und Zuverlässigkeit geschätzt, was ihn zur Basis vieler Anwendungen macht, bei denen Miniaturisierung und hohe Leistungsfähigkeit gefragt sind. Das SOT-23-Gehäuse sorgt für eine minimale Leiterplattenfläche und ist ideal für die Oberflächenmontage.
Zu den wichtigsten technischen Parametern des 2N7002 Transistors gehören:
- Transistortyp: N-Kanal MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)
- Maximale Drain-Source-Spannung (VDS): 60 V
- Dauer-Drainstrom (ID): 115 mA
- Einschaltwiderstand (RDS(on)): niedrig (typ. 7,5 Ω bei VGS = 5 V)
- Gate-Schwellenspannung (VGS(th)): niedrig, ermöglicht Ansteuerung mit digitalen Logikpegeln
- Gehäuse: SOT-23 (SMD)
Diese Parameterkombination, einschließlich der niedrigen Gate-Schwellenspannung, macht den 2N7002 Transistor ideal für die Kopplung von stromsparenden Digitalschaltungen mit Bauteilen, die mit höheren Versorgungsspannungen betrieben werden.
Typische Anwendungen des 2N7002 Transistors
Dank seiner hohen Schaltgeschwindigkeit und der Kompatibilität mit Logikspannungen findet dieser N-Kanal-MOSFET Anwendung in:
- schnellem Schalten digitaler Signale
- LED-Ansteuerungen
- Niedrigleistungsverstärkern und Pufferschaltungen
- Logikschnittstellen und Spannungspegelwandlern
- Steuerschaltungen für Relais und kleine Motoren
Dank seiner bewährten Architektur wird dieser Transistor häufig sowohl für das Prototyping als auch für die Serienproduktion elektronischer Geräte eingesetzt.
Der 2N7002 Transistor im SOT-23-Gehäuse, erhältlich im Angebot von Micros, ist ein verifiziertes Bauteil von NXP und gewährleistet hohe Zuverlässigkeit sowie stabile Parameter in kritischen Schaltanwendungen.