2N7002,215
Symbol Micros:
T2N7002 NXP
Gehäuse: SOT23
Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 30V; 5Ohm; 300mA; 830mW; -65°C~150°C; 2N7002.215;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 5Ohm |
Max. Drainstrom: | 300mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 830mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | NXP |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: 2N7002,215 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1850 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1290 | 0,0612 | 0,0345 | 0,0263 | 0,0235 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: 2N7002,235
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
30000 stk.
Anzahl Stück | 10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0235 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: 2N7002,235
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
20000 stk.
Anzahl Stück | 10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,0235 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: 2N7002,215
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
1482000 stk.
Anzahl Stück | 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0235 |
Widerstand im offenen Kanal: | 5Ohm |
Max. Drainstrom: | 300mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 830mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | NXP |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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