2N7002,215

Symbol Micros: T2N7002 NXP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 30V; 5Ohm; 300mA; 830mW; -65°C~150°C; 2N7002.215;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5Ohm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 830mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: 2N7002,215 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
178 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3094 0,1705 0,1341 0,1242 0,1190
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 5Ohm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 830mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Montage: SMD

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