2N7002 SOT23 YANGJIE

Symbol Micros: T2N7002 YY

Gehäuse: SOT23

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 3Ohm; 340mA; 350 mW; -55°C~150°C; 2N7002-YAN;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	3Ohm
Max. Drainstrom:	340mA
Maximaler Leistungsverlust:	350mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Msx. Drain-Gate Spannung:	60V

Hersteller: YY Hersteller-Teilenummer: 2N7002-F2-0000HF RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

12000 stk.

Anzahl Stück	20+	100+	500+	3000+	15000+
Nettopreis (EUR)	0,0612	0,0229	0,0123	0,0092	0,0085

Widerstand im offenen Kanal:	3Ohm
Max. Drainstrom:	340mA
Maximaler Leistungsverlust:	350mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Msx. Drain-Gate Spannung:	60V
Transistor-Typ:	MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD