2N7002BKS,115

Symbol Micros: T2N7002bks
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
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2xN-Channel MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2Ohm; 300mA; 340 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002BKS,115;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 340mW
Gehäuse: SOT363
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: 2N7002BKS,115 RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
1720 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2435 0,1229 0,0745 0,0591 0,0539
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 340mW
Gehäuse: SOT363
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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