2N7002BKV,115
Symbol Micros:
T2N7002bkv
Gehäuse: SOT666
2xN-MOSFET 60V 0.34A 2N7002BKV.115;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,6Ohm |
| Max. Drainstrom: | 340mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 350mW |
| Gehäuse: | SOT666 |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,6Ohm |
| Max. Drainstrom: | 340mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 350mW |
| Gehäuse: | SOT666 |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole