2N7002BKV,115
Symbol Micros:
T2N7002bkv
Gehäuse: SOT666
2xN-MOSFET 60V 0.34A 2N7002BKV.115;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,6Ohm |
| Max. Drainstrom: | 340mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 350mW |
| Gehäuse: | SOT666 |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: 2N7002BKV,115
Gehäuse: SOT666
Externes Lager:
168000 stk.
| Anzahl Stück | 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0632 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: 2N7002BKV,115
Gehäuse: SOT666
Externes Lager:
96000 stk.
| Anzahl Stück | 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0620 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,6Ohm |
| Max. Drainstrom: | 340mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 350mW |
| Gehäuse: | SOT666 |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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