2N7002BKV,115

Symbol Micros: T2N7002bkv
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT666
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2xN-MOSFET 60V 0.34A 2N7002BKV.115;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,6Ohm
Max. Drainstrom: 340mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT666
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: 2N7002BKV,115 Gehäuse: SOT666  
Externes Lager:
28000 stk.
Anzahl Stück 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0840
Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 1,6Ohm
Max. Drainstrom: 340mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT666
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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