2N7002BKW,115

Symbol Micros: T2N7002bkw

Gehäuse: SOT323

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2Ohm; 310mA; 330 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002BKW,115; 2N7002BKW.115; 2N7002BKW;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	2Ohm
Max. Drainstrom:	310mA
Maximaler Leistungsverlust:	330mW
Gehäuse:	SOT323
Hersteller:	NXP
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: 2N7002BKW,115 RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt

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3690 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,1889	0,0898	0,0506	0,0383	0,0343

Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: 2N7002BKW,115 Gehäuse: SOT323

Externes Lager:

897000 stk.

Anzahl Stück	18000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,0343

Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: 2N7002BKW,115 Gehäuse: SOT323

Externes Lager:

12000 stk.

Anzahl Stück	6000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,0343

Widerstand im offenen Kanal:	2Ohm
Max. Drainstrom:	310mA
Maximaler Leistungsverlust:	330mW
Gehäuse:	SOT323
Hersteller:	NXP
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD