2N7002BKW,115
Symbol Micros:
T2N7002bkw
Gehäuse: SOT323
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2Ohm; 310mA; 330 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002BKW,115; 2N7002BKW.115; 2N7002BKW;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 2Ohm |
| Max. Drainstrom: | 310mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 330mW |
| Gehäuse: | SOT323 |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: 2N7002BKW,115 RoHS
Gehäuse: SOT323 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1690 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2314 | 0,1099 | 0,0619 | 0,0470 | 0,0421 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: 2N7002BKW,115
Gehäuse: SOT323
Externes Lager:
99000 stk.
| Anzahl Stück | 15000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0421 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: 2N7002BKW,115
Gehäuse: SOT323
Externes Lager:
36000 stk.
| Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0421 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 2Ohm |
| Max. Drainstrom: | 310mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 330mW |
| Gehäuse: | SOT323 |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole