2N7002DW SOT363 RealChip
Symbol Micros:
T2N7002dw REA
Gehäuse: SOT363
Transistor 2xN-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 3,5Ohm; 300mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: 2N7002DW-7-F; 2N7002DWH6327XTSA1;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 3,5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 300mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 150mW |
| Gehäuse: | SOT363 |
| Hersteller: | RealChip |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 3,5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 300mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 150mW |
| Gehäuse: | SOT363 |
| Hersteller: | RealChip |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole