2N7002DW SOT363 YFW

Symbol Micros: T2N7002dw YFW
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
Transistor 2xN-Kanal MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: 2N7002DW-7-F; 2N7002DWH6327XTSA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 7Ohm
Max. Drainstrom: 115mA
Maximaler Leistungsverlust: 150mW
Gehäuse: SOT363
Hersteller: YFW
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 7Ohm
Max. Drainstrom: 115mA
Maximaler Leistungsverlust: 150mW
Gehäuse: SOT363
Hersteller: YFW
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD