2N7002DWH6327

Name: T2N7002dwh6327 T2N7002dwh6327
Brand: Infineon
SKU: T2N7002dwh6327
Price: 0.0481 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: T2N7002dwh6327

Gehäuse: SOT363

2xN-MOSFET 60V 0.3A 2N7002DWH6327XTSA1

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	4Ohm
Max. Drainstrom:	300mA
Maximaler Leistungsverlust:	500mW
Gehäuse:	SOT363
Hersteller:	INFINEON
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	2xN-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: 2N7002DWH6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt

Auf Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2122	0,1008	0,0568	0,0431	0,0386

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: 2N7002DWH6327XTSA1 Gehäuse: SOT363

Externes Lager:

6100 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0481

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: 2N7002DWH6327XTSA1 Gehäuse: SOT363

Externes Lager:

507000 stk.

Anzahl Stück	6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0386

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: 2N7002DWH6327XTSA1 Gehäuse: SOT363

Externes Lager:

3864000 stk.

Anzahl Stück	12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0386

Widerstand im offenen Kanal:	4Ohm
Max. Drainstrom:	300mA
Maximaler Leistungsverlust:	500mW
Gehäuse:	SOT363
Hersteller:	INFINEON
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD