2N7002DWH6327

Symbol Micros: T2N7002dwh6327
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
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2xN-MOSFET 60V 0.3A 2N7002DWH6327XTSA1
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4Ohm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SOT363
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: 2N7002DWH6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2124 0,1009 0,0568 0,0431 0,0386
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: 2N7002DWH6327XTSA1 Gehäuse: SOT363  
Externes Lager:
5700 stk.
Anzahl Stück 100+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0480
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Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: 2N7002DWH6327XTSA1 Gehäuse: SOT363  
Externes Lager:
2436000 stk.
Anzahl Stück 12000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0386
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 4Ohm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SOT363
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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