2N7002DWH6327
Symbol Micros:
T2N7002dwh6327
Gehäuse: SOT363
2xN-MOSFET 60V 0.3A 2N7002DWH6327XTSA1
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 4Ohm |
| Max. Drainstrom: | 300mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 500mW |
| Gehäuse: | SOT363 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: 2N7002DWH6327XTSA1
Gehäuse: SOT363
Externes Lager:
900 stk.
| Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0497 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: 2N7002DWH6327XTSA1
Gehäuse: SOT363
Externes Lager:
393000 stk.
| Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0330 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: 2N7002DWH6327XTSA1
Gehäuse: SOT363
Externes Lager:
4308000 stk.
| Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0317 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 4Ohm |
| Max. Drainstrom: | 300mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 500mW |
| Gehäuse: | SOT363 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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