2N7002E-T1-GE3
Symbol Micros:
T2N7002E-T1-GE3
Gehäuse: SOT23
Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 2N7002E-T1-GE3
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 4Ohm |
Max. Drainstrom: | 240mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 350mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 4Ohm |
Max. Drainstrom: | 240mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 350mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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