2N7002E-T1-GE3

Symbol Micros: T2N7002E-T1-GE3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 2N7002E-T1-GE3
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4Ohm
Max. Drainstrom: 240mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 4Ohm
Max. Drainstrom: 240mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD