2N7002H SOT23(T/R) LGE

Name: T2N7002h LGE T2N7002h LGE
Brand: LGE
SKU: T2N7002hLGE
Price: 0.0188 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: T2N7002h LGE

Gehäuse: SOT23

Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	4Ohm
Max. Drainstrom:	300mA
Maximaler Leistungsverlust:	350mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	LGE
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: 2N7002H RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

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3000 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,1130	0,0519	0,0283	0,0211	0,0188

Widerstand im offenen Kanal:	4Ohm
Max. Drainstrom:	300mA
Maximaler Leistungsverlust:	350mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	LGE
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD