2N7002H SOT23(T/R) LGE

Symbol Micros: T2N7002h LGE
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4Ohm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: LGE
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 4Ohm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: LGE
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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