2N7002K China

Symbol Micros: T2N7002k c

Gehäuse: SOT23

60V 340mA 350mW 1 N-channel SOT-23(TO-236) MOSFETs ROHS

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	5,3Ohm
Max. Drainstrom:	340mA
Maximaler Leistungsverlust:	350mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	FUXIN
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2025-07-20

Anzahl Stück: 3000

Widerstand im offenen Kanal:	5,3Ohm
Max. Drainstrom:	340mA
Maximaler Leistungsverlust:	350mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	FUXIN
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD