2N7002K SOT23 FUXINSEMI

Symbol Micros: T2N7002k FUX
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 500mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002K-7; 2N7002K,215; 2N7002K-T1-E3; 2N7002K-T1-GE3; 2N7002KT1G; 2N7002KT3G; 2N7002KT7G; 2N7002K-TP;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 500mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: FUXINSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 500mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: FUXINSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD