2N7002K SOT23 MDD

Symbol Micros: T2N7002k MDD
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; ESD 2kV; 300mA; 300mW; -50°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: MDD
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: MOSFET
Hersteller: MDD(Microdiode Electronics) Hersteller-Teilenummer: 2N7002K RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
9000 stk.
Anzahl Stück 20+ 100+ 500+ 3000+ 9000+
Nettopreis (EUR) 0,0574 0,0214 0,0114 0,0085 0,0079
Standard-Verpackung:
3000/9000
Hersteller: MDD(Microdiode Electronics) Hersteller-Teilenummer: 2N7002K RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 20+ 100+ 500+ 3000+ 9000+
Nettopreis (EUR) 0,0574 0,0214 0,0114 0,0085 0,0079
Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: MDD
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -50°C ~ 150°C
Montage: SMD