2N7002KD SOT-363(T/R) FUXIN

Symbol Micros: T2N7002KD FUX
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
N-Kanal SMD MOSFET ESD Protection 60V 0.34A Äquivalent: 2N7002DWH6327XTSA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5,3Ohm
Max. Drainstrom: 340mA
Maximaler Leistungsverlust: 150mW
Gehäuse: SOT363
Hersteller: FUXIN
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: FUXINSEMI Hersteller-Teilenummer: 2N7002KD RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1376 0,0632 0,0343 0,0256 0,0229
Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 5,3Ohm
Max. Drainstrom: 340mA
Maximaler Leistungsverlust: 150mW
Gehäuse: SOT363
Hersteller: FUXIN
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD