2N7002KD SOT-363(T/R) FUXIN

Symbol Micros: T2N7002KD FUX
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
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N-Kanal SMD MOSFET ESD Protection 60V 0.34A Äquivalent: 2N7002DWH6327XTSA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5,3Ohm
Max. Drainstrom: 340mA
Maximaler Leistungsverlust: 150mW
Gehäuse: SOT363
Hersteller: FUXIN
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 5,3Ohm
Max. Drainstrom: 340mA
Maximaler Leistungsverlust: 150mW
Gehäuse: SOT363
Hersteller: FUXIN
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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