2N7002KDW SOT363(T/R) HT SEMI

Symbol Micros: T2N7002KDW HTSEMI
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
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60V 115mA 200mW 4Ohm@4.5V,200mA 2.5V@250uA 2 N-Channel SC-70-6(SOT-363) MOSFETs ROHS
Parameter
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-10-30
Anzahl Stück: 3000
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V

Symbol Micros

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