2N7002KW

Symbol Micros: T2N7002kw
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 3Ohm; 310mA; 300 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002KW-FAI; 2N7002KW-YAN; 2N7002KW-TP;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 310mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N7002KW RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2453 0,1357 0,0902 0,0752 0,0701
Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 310mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD