2N7002KW
Symbol Micros:
T2N7002kw
Gehäuse: SOT323
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 3Ohm; 310mA; 300 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002KW-FAI; 2N7002KW-YAN; 2N7002KW-TP;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 3Ohm |
| Max. Drainstrom: | 310mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300mW |
| Gehäuse: | SOT323 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: 2N7002KW RoHS
Gehäuse: SOT323 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
6000 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2461 | 0,1362 | 0,0905 | 0,0755 | 0,0703 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: 2N7002KW
Gehäuse: SOT323
Externes Lager:
348000 stk.
| Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0703 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: 2N7002KW
Gehäuse: SOT323
Externes Lager:
24000 stk.
| Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0703 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 3Ohm |
| Max. Drainstrom: | 310mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300mW |
| Gehäuse: | SOT323 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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