2N7002NXAKR

Symbol Micros: T2N7002NXAKR
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,5Ohm
Max. Drainstrom: 190mA
Maximaler Leistungsverlust: 265mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: 2N7002NXAKR RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 838+ 3352+
Nettopreis (EUR) 0,1024 0,0404 0,0236 0,0177 0,0157
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Standard-Verpackung:
162
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: 2N7002NXAKR RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 838+ 3352+
Nettopreis (EUR) 0,1024 0,0404 0,0236 0,0177 0,0157
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Standard-Verpackung:
838
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: 2N7002NXAKR Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
1500 stk.
Anzahl Stück 100+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0904
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Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 4,5Ohm
Max. Drainstrom: 190mA
Maximaler Leistungsverlust: 265mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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