2N7002NXAKR

Name: T2N7002NXAKR T2N7002NXAKR
Brand: Nexperia
SKU: T2N7002NXAKR
Price: 0.0159 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: T2N7002NXAKR

Gehäuse: SOT23

Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	4,5Ohm
Max. Drainstrom:	190mA
Maximaler Leistungsverlust:	265mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	NXP
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: 2N7002NXAKR RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

162 stk.

Anzahl Stück	10+	50+	200+	838+	3352+
Nettopreis (EUR)	0,1034	0,0407	0,0238	0,0179	0,0159

Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: 2N7002NXAKR RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

318 stk.

Anzahl Stück	10+	50+	200+	838+	3352+
Nettopreis (EUR)	0,1034	0,0407	0,0238	0,0179	0,0159

Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: 2N7002NXAKR Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

585000 stk.

Anzahl Stück	9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0159

Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: 2N7002NXAKR Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

27000 stk.

Anzahl Stück	12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0159

Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: 2N7002NXAKR Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

440647 stk.

Anzahl Stück	12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0159

Widerstand im offenen Kanal:	4,5Ohm
Max. Drainstrom:	190mA
Maximaler Leistungsverlust:	265mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	NXP
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD