2N7002NXAKR
Symbol Micros:
T2N7002NXAKR
Gehäuse: SOT23
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 190mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 265mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 190mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 265mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole