2N7002NXAKR
Symbol Micros:
T2N7002NXAKR
Gehäuse: SOT23
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,5Ohm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 265mW |
| Max. Drainstrom: | 190mA |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: 2N7002NXAKR RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Auf Lager:
0 stk.
| Anzahl Stück | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0980 | 0,0387 | 0,0226 | 0,0165 | 0,0151 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: 2N7002NXAKR RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Auf Lager:
3000 stk.
| Anzahl Stück | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0980 | 0,0387 | 0,0226 | 0,0165 | 0,0151 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,5Ohm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 265mW |
| Max. Drainstrom: | 190mA |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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