2N7002NXBKR 

Symbol Micros: T2N7002NXBKR
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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2N7002NXBK/SOT23/TO-236AB Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,8Ohm
Max. Drainstrom: 270mA
Maximaler Leistungsverlust: 310mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: 2N7002NXBKR RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Nettopreis (EUR) 0,1195 0,0458 0,0258 0,0213 0,0199
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Standard-Verpackung:
1000
Widerstand im offenen Kanal: 2,8Ohm
Max. Drainstrom: 270mA
Maximaler Leistungsverlust: 310mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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