2N7002NXBKR
Symbol Micros:
T2N7002NXBKR
Gehäuse: SOT23
2N7002NXBK/SOT23/TO-236AB Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 2,8Ohm |
Max. Drainstrom: | 270mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 310mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | NXP |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 2,8Ohm |
Max. Drainstrom: | 270mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 310mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | NXP |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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