2N7002NXBKR 

Symbol Micros: T2N7002NXBKR
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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2N7002NXBK/SOT23/TO-236AB Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,8Ohm
Max. Drainstrom: 270mA
Maximaler Leistungsverlust: 310mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: 2N7002NXBKR RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Nettopreis (EUR) 0,1208 0,0463 0,0261 0,0215 0,0202
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Standard-Verpackung:
1000
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: 2N7002NXBKR Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
198000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0280
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 2,8Ohm
Max. Drainstrom: 270mA
Maximaler Leistungsverlust: 310mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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