2N7002NXBKR

Name: T2N7002NXBKR T2N7002NXBKR
Brand: NXP
SKU: T2N7002NXBKR
Price: 0.0199 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: T2N7002NXBKR

Gehäuse: SOT23

2N7002NXBK/SOT23/TO-236AB Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	2,8Ohm
Max. Drainstrom:	270mA
Maximaler Leistungsverlust:	310mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	NXP
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: 2N7002NXBKR RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

1000 stk.

Anzahl Stück	5+	30+	200+	1000+	5000+
Nettopreis (EUR)	0,1195	0,0458	0,0258	0,0213	0,0199

Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: 2N7002NXBKR Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

31480 stk.

Anzahl Stück	9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0199

Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: 2N7002NXBKR Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

33000 stk.

Anzahl Stück	9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0199

Widerstand im offenen Kanal:	2,8Ohm
Max. Drainstrom:	270mA
Maximaler Leistungsverlust:	310mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	NXP
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD