2N7002P,215

Symbol Micros: T2N7002p
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Gehäuse: SOT23-3
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2Ohm; 360mA; 420 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002P,215; 2N7002P,235; 2N7002P.215; 2N7002P;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 360mA
Maximaler Leistungsverlust: 420mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: 2N7002P,215 Gehäuse: SOT23-3  
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Nettopreis (EUR) 0,0209
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3000
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Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 360mA
Maximaler Leistungsverlust: 420mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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