2N7002P,215
Symbol Micros:
T2N7002p
Gehäuse: SOT23-3
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2Ohm; 360mA; 420 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002P,215; 2N7002P,235; 2N7002P.215; 2N7002P;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 2Ohm |
| Max. Drainstrom: | 360mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 420mW |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 2Ohm |
| Max. Drainstrom: | 360mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 420mW |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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