2N7002Q-7-F

Symbol Micros: T2N7002Q-7-F Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 370mW
Max. Drainstrom: 210mA
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 5Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 370mW
Max. Drainstrom: 210mA
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD