2N7002W
Symbol Micros:
T2N7002W LGE
Gehäuse: SOT323
N-Channel-MOSFET-Transistor; unipolar; 60V; 50V; 7,5 Ohm; 115mA; 225 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002W-LGE;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 7,5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 115mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 225mW |
| Gehäuse: | SOT323 |
| Hersteller: | LGE |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 60V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 7,5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 115mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 225mW |
| Gehäuse: | SOT323 |
| Hersteller: | LGE |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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