2N7002W

Symbol Micros: T2N7002W LGE
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
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N-Channel-MOSFET-Transistor; unipolar; 60V; 50V; 7,5 Ohm; 115mA; 225 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002W-LGE;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 7,5Ohm
Max. Drainstrom: 115mA
Maximaler Leistungsverlust: 225mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: LGE
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: 2N7002W RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1329 0,0610 0,0331 0,0249 0,0221
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 7,5Ohm
Max. Drainstrom: 115mA
Maximaler Leistungsverlust: 225mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: LGE
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Transistor-Typ: MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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