2N7002W SOT323 YANGJIE TECHNOLOGY

Symbol Micros: T2N7002W YY
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
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Mosfet, SOT-323, 60V, 0.115A, 150°C; 2N7002W-YAN;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,5Ohm
Max. Drainstrom: 115mA
Maximaler Leistungsverlust: 200mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: YY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Hersteller: YY Hersteller-Teilenummer: 2N7002W RoHS Gehäuse: SOT323 t/r  
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0627 0,0241 0,0118 0,0094 0,0090
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 2,5Ohm
Max. Drainstrom: 115mA
Maximaler Leistungsverlust: 200mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: YY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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