2N7002W-7-F

Symbol Micros: T2N7002w7f
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 7,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 7,5Ohm
Max. Drainstrom: 115mA
Maximaler Leistungsverlust: 200mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: 2N7002W-7-F RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
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3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1843 0,0875 0,0492 0,0374 0,0335
Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 7,5Ohm
Max. Drainstrom: 115mA
Maximaler Leistungsverlust: 200mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD