2N7002W-7-F
Symbol Micros:
T2N7002w7f
Gehäuse: SOT323
Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 7,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 7,5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 115mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 200mW |
| Gehäuse: | SOT323 |
| Hersteller: | DIODES |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 7,5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 115mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 200mW |
| Gehäuse: | SOT323 |
| Hersteller: | DIODES |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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