2N7002WT1G

Symbol Micros: T2N7002wt1g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2,5 Ohm; 310mA; 280 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002W;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,5Ohm
Max. Drainstrom: 310mA
Maximaler Leistungsverlust: 280mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N7002WT1G RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
11490 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1350 0,0640 0,0360 0,0273 0,0245
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 2,5Ohm
Max. Drainstrom: 310mA
Maximaler Leistungsverlust: 280mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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