2N7002WT1G

Name: T2N7002wt1g T2N7002wt1g
Brand: ON-Semicoductor
SKU: T2N7002wt1g
Price: 0.0246 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: T2N7002wt1g

Gehäuse: SOT323

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2,5 Ohm; 310mA; 280 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002W;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	2,5Ohm
Max. Drainstrom:	310mA
Maximaler Leistungsverlust:	280mW
Gehäuse:	SOT323
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N7002WT1G RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt

Auf Lager:

11490 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,1355	0,0642	0,0361	0,0274	0,0246

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N7002WT1G Gehäuse: SOT323

Externes Lager:

687000 stk.

Anzahl Stück	9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0246

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N7002WT1G Gehäuse: SOT323

Externes Lager:

345000 stk.

Anzahl Stück	9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0246

Widerstand im offenen Kanal:	2,5Ohm
Max. Drainstrom:	310mA
Maximaler Leistungsverlust:	280mW
Gehäuse:	SOT323
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD