2SA1013 TO92 LGE

Symbol Micros: T2SA1013 TO92 LGE
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO92
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Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1A; 900mW; TO92 2SA1013-LGE;
Parameter
Verlustleistung: 900mW
Hersteller: LGE
Stromverstärkungsfaktor: 300
Gehäuse: TO92
Grenzfrequenz: 15MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 160V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 900mW
Hersteller: LGE
Stromverstärkungsfaktor: 300
Gehäuse: TO92
Grenzfrequenz: 15MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 160V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

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