2SA1013 TO92 LGE

Symbol Micros: T2SA1013 TO92 LGE

Gehäuse: TO92

Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1A; 900mW; TO92 2SA1013-LGE;

Parameter

Verlustleistung:	900mW
Hersteller:	LGE
Stromverstärkungsfaktor:	300
Gehäuse:	TO92
Grenzfrequenz:	15MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	160V

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2025-08-20

Anzahl Stück: 1000

Verlustleistung:	900mW
Hersteller:	LGE
Stromverstärkungsfaktor:	300
Gehäuse:	TO92
Grenzfrequenz:	15MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	160V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	PNP