2SA1386

Symbol Micros: T2SA1386
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3P
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Transistor GP BJT PNP 160V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Transistor GP BJT PNP 160V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
Parameter
Verlustleistung: 130W
Hersteller: Sanken
Gehäuse: TO 3P
Stromverstärkungsfaktor: 180
Grenzfrequenz: 40MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 15A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 160V
Hersteller: SPTECH Hersteller-Teilenummer: 2SA1386 RoHS Gehäuse: TO 3P  
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 2,7252 2,3453 2,1201 2,0122 1,9466
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Standard-Verpackung:
10
Hersteller: Sanken Hersteller-Teilenummer: 2SA1386 RoHS Gehäuse: TO 3P Datenblatt
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 100+ 200+
Nettopreis (EUR) 2,7252 2,2444 2,0310 1,9677 1,9466
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Standard-Verpackung:
30/100
Hersteller: PMC-Sierra Hersteller-Teilenummer: 2SA1386 RoHS Gehäuse: TO 3P  
Auf Lager:
2 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 100+ 200+
Nettopreis (EUR) 2,7252 2,2444 2,0310 1,9677 1,9466
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Standard-Verpackung:
94
Verlustleistung: 130W
Hersteller: Sanken
Gehäuse: TO 3P
Stromverstärkungsfaktor: 180
Grenzfrequenz: 40MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 15A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 160V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

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