2SA1943-O

Symbol Micros: T2SA1943o
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: 2-21F1A
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Transistor PNP; 160; 150W; 230V; 15A; 30MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor PNP; 160; 150W; 230V; 15A; 30MHz; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 150W
Hersteller: TOSHIBA
Stromverstärkungsfaktor: 160
Gehäuse: 2-21F1A
Grenzfrequenz: 30MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 15A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 230V
Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: 2SA1943-O(Q) RoHS Gehäuse: 2-21F1A Datenblatt
Auf Lager:
150 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
Nettopreis (EUR) 2,4955 2,0553 1,8881 1,8010 1,7822
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist Standard-Verpackung:
100/200
Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: 2SA1943-O(Q) Gehäuse: 2-21F1A  
Externes Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,7822
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 150W
Hersteller: TOSHIBA
Stromverstärkungsfaktor: 160
Gehäuse: 2-21F1A
Grenzfrequenz: 30MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 15A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 230V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

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