2SA1943-O

Symbol Micros: T2SA1943o

Gehäuse: 2-21F1A

Transistor PNP; 160; 150W; 230V; 15A; 30MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor PNP; 160; 150W; 230V; 15A; 30MHz; -55°C ~ 150°C;

Parameter

Verlustleistung:	150W
Hersteller:	TOSHIBA
Stromverstärkungsfaktor:	160
Gehäuse:	2-21F1A
Grenzfrequenz:	30MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	15A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	230V

Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: 2SA1943-O(Q) RoHS Gehäuse: 2-21F1A Datenblatt

Auf Lager:

50 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	200+
Nettopreis (EUR)	2,6340	2,0842	1,8821	1,7787	1,7552

Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: 2SA1943-O(Q) Gehäuse: 2-21F1A

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Anzahl Stück	300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,7552

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2025-09-19

Anzahl Stück: 200

Verlustleistung:	150W
Hersteller:	TOSHIBA
Stromverstärkungsfaktor:	160
Gehäuse:	2-21F1A
Grenzfrequenz:	30MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	15A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	230V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	PNP

Anzahl Stück	1+	5+	25+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	1,4920	1,0433	0,8717	0,8106	0,7848

Anzahl Stück	1+	5+	30+	150+	300+
Nettopreis (EUR)	1,5108	1,1208	0,9563	0,8999	0,8882

Anzahl Stück	1+	5+	30+	150+	300+
Nettopreis (EUR)	1,5108	1,1208	0,9563	0,8999	0,8882