2SB772P

Symbol Micros: T2SB772

Gehäuse: TO126

PNP 3A 30V 10W 80MHz 160 < beta < 320 PNP 3A 30V 10W 80MHz 160 < beta < 320

Parameter

Verlustleistung:	10W
Hersteller:	UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
Stromverstärkungsfaktor:	320
Gehäuse:	TO126
Grenzfrequenz:	80MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	30V

Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: 2SB772 RoHS Gehäuse: TO126

Auf Lager:

12355 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,2546	0,1397	0,0916	0,0827	0,0729

Verlustleistung:	10W
Hersteller:	UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
Stromverstärkungsfaktor:	320
Gehäuse:	TO126
Grenzfrequenz:	80MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	PNP