2SC1623 HXY MOSFET

Symbol Micros: T2SC1623 HXY
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
NPN-Transistor; 600; 200mW, 50V; 100mA; 250MHz, -55°C ~ 150°C; Äquivalent: 2SC1623-L7-TP; 2SC1623-L7-HF;
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: HXY MOSFET
Stromverstärkungsfaktor: 600
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 250MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: 2SC1623 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 20+ 100+ 500+ 3000+ 6000+
Nettopreis (EUR) 0,0458 0,0170 0,0090 0,0066 0,0063
Standard-Verpackung:
3000/6000
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: HXY MOSFET
Stromverstärkungsfaktor: 600
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 250MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN