2SC3356-T1B-A Renesas
Symbol Micros:
T2SC3356
Gehäuse: SOT23
NPN Transistor; 160; 200mW; 12V; 100mA; 7GHz; -65°C ~ 150°C; NPN Transistor; 160; 200mW; 12V; 100mA; 7GHz; -65°C ~ 150°C;
Parameter
| Verlustleistung: | 200mW |
| Hersteller: | HOTTECH |
| Stromverstärkungsfaktor: | 160 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Grenzfrequenz: | 7GHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 12V |
Hersteller: YFW
Hersteller-Teilenummer: 2SC3356-S RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Auf Lager:
2000 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 30+ | 200+ | 1000+ | 5000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1412 | 0,0541 | 0,0305 | 0,0250 | 0,0235 |
| Verlustleistung: | 200mW |
| Hersteller: | HOTTECH |
| Stromverstärkungsfaktor: | 160 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Grenzfrequenz: | 7GHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 12V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole