2SC4213-B

Symbol Micros: T2SC4213b
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
NPN 300mA 20V 100mW 30MHz 350<hFE<1200 NPN 300mA 20V 100mW 30MHz 350<hFE<1200
Parameter
Verlustleistung: 100mW
Hersteller: TOSHIBA
Stromverstärkungsfaktor: 1200
Grenzfrequenz: 30MHz
Gehäuse: SOT323
Max. Kollektor-Strom [A]: 300mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 20V
Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: 2SC4213-B RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
150 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2608 0,1670 0,1170 0,1017 0,0952
Standard-Verpackung:
200
Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: 2SC4213-B(TE85L,F) Gehäuse: SOT323  
Externes Lager:
15000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0952
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 100mW
Hersteller: TOSHIBA
Stromverstärkungsfaktor: 1200
Grenzfrequenz: 30MHz
Gehäuse: SOT323
Max. Kollektor-Strom [A]: 300mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 125°C
Transistor-Typ: NPN