2SC5103TLQ

Symbol Micros: T2SC5103tlq
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
NPN 60V 5A NPN 60V 5A
Parameter
Verlustleistung: 1W
Hersteller: ROHM
Stromverstärkungsfaktor: 270
Gehäuse: TO252
Grenzfrequenz: 120MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Hersteller: ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer: 2SC5103TLQ RoHS Gehäuse: TO252t/r Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,0533 0,7742 0,6217 0,5325 0,5020
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Verlustleistung: 1W
Hersteller: ROHM
Stromverstärkungsfaktor: 270
Gehäuse: TO252
Grenzfrequenz: 120MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole