2SD2390 JSMICRO

Symbol Micros: T2SD2390 JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3P
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
NPN Darlington-Transistor; 5000; 100W; 150V; 10A; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 100W
Stromverstärkungsfaktor: 5000
Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: TO 3P
Max. Kollektor-Strom [A]: 10A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 150V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: 2SD2390 RoHS Gehäuse: TO 3P Datenblatt
Auf Lager:
60 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,7836 1,3231 1,1291 1,0636 1,0496
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
30
Verlustleistung: 100W
Stromverstärkungsfaktor: 5000
Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: TO 3P
Max. Kollektor-Strom [A]: 10A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 150V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: Darlington NPN

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole