2SD882SQ-P SOT89 PJ
Symbol Micros:
T2SD882 sot89 PJ
Gehäuse: SOT89
30V 3A NPN SOT-89 Bipolar Transistors - BJT ROHS 30V 3A NPN SOT-89 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Parameter
| Verlustleistung: | 1W |
| Hersteller: | PJSEMI |
| Stromverstärkungsfaktor: | 320 |
| Gehäuse: | SOT89 |
| Grenzfrequenz: | 90MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 3A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 30V |
Hersteller: PJSEMI
Hersteller-Teilenummer: 2SD882SQ-P RoHS
Gehäuse: SOT89 t/r
Auf Lager:
200 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2466 | 0,1351 | 0,0886 | 0,0763 | 0,0705 |
| Verlustleistung: | 1W |
| Hersteller: | PJSEMI |
| Stromverstärkungsfaktor: | 320 |
| Gehäuse: | SOT89 |
| Grenzfrequenz: | 90MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 3A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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