2SD882 SOT89-3 UTC

Symbol Micros: T2SD882 sot89 UTC

Gehäuse: SOT89-3

0.5W 30V 3A NPN SOT-89(SOT-89-3) Bipolar Transistors - BJT ROHS 0.5W 30V 3A NPN SOT-89(SOT-89-3) Bipolar Transistors - BJT ROHS

Parameter

Verlustleistung:	500mW
Hersteller:	UTC
Stromverstärkungsfaktor:	320
Gehäuse:	SOT89-3
Grenzfrequenz:	80MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	30V

Hersteller: UTC Hersteller-Teilenummer: 2SD882SG-P-AB3-R RoHS Gehäuse: SOT89-3 Datenblatt

Auf Lager:

50 stk.

Anzahl Stück	5+	30+	146+	730+	2920+
Nettopreis (EUR)	0,2203	0,1069	0,0763	0,0660	0,0629

Verlustleistung:	500mW
Hersteller:	UTC
Stromverstärkungsfaktor:	320
Gehäuse:	SOT89-3
Grenzfrequenz:	80MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN