2SJ162

Symbol Micros: T2SJ162
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3P
P-Channel-MOSFET-Transistor; 160V; 15V; 7A; 100 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Max. Drainstrom: 7A
Maximaler Leistungsverlust: 100W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: Renesas
Max. Drain-Source Spannung: 160V
Max. Gate-Source Spannung: 15V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Max. Drainstrom: 7A
Maximaler Leistungsverlust: 100W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: Renesas
Max. Drain-Source Spannung: 160V
Max. Gate-Source Spannung: 15V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT