2SJ360

Symbol Micros: T2SJ360
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT89
P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 1,2 Ohm; 1A; 1,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2SJ360(F); 2SJ360(TE12L,F); 2SJ360-VB;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,2Ohm
Max. Drainstrom: 1A
Maximaler Leistungsverlust: 1,5W
Gehäuse: SOT89
Hersteller: TOSHIBA
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Hersteller: VBsemi Hersteller-Teilenummer: 2SJ360 RoHS Gehäuse: SOT89 t/r  
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Geplantes Datum:
2024-11-30
Anzahl Stück: 100
Widerstand im offenen Kanal: 1,2Ohm
Max. Drainstrom: 1A
Maximaler Leistungsverlust: 1,5W
Gehäuse: SOT89
Hersteller: TOSHIBA
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD