2SJ360 SOT89-3 KEXIN

Symbol Micros: T2SJ360 KEX
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT89
Transistor P-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 1,2Ohm; 1A; 500mW; -55°C ~ 150°C; 2SJ360(TE12L,F; 2SJ360-VB;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,2Ohm
Max. Drainstrom: 1A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SOT89
Hersteller: KEXIN
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-10-30
Anzahl Stück: 100
Widerstand im offenen Kanal: 1,2Ohm
Max. Drainstrom: 1A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SOT89
Hersteller: KEXIN
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD