2SK1118
Symbol Micros:
T2SK1118
Gehäuse: TO220iso
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 600V; 30V; 1,25 Ohm; 6A; 45W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,25Ohm |
| Max. Drainstrom: | 6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 45W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: PMC-Sierra
Hersteller-Teilenummer: 2SK1118 RoHS
Gehäuse: TO220iso
Auf Lager:
18 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 24+ | 96+ | 288+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,0505 | 1,6277 | 1,4586 | 1,3928 | 1,3670 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,25Ohm |
| Max. Drainstrom: | 6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 45W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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