2SK117

Symbol Micros: T2SK117

Gehäuse: TO92

N-Channel-JFET-Transistor; 50V; 14mA; 300mW; -55°C~125°C; Äquivalent: 2SK117-BL;

Parameter

Max. Drainstrom:	14mA
Maximaler Leistungsverlust:	300mW
Gehäuse:	TO92
Hersteller:	ZEHUA
Msx. Drain-Gate Spannung:	50V
Transistor-Typ:	N-JFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 125°C

Hersteller: ZEHUA Hersteller-Teilenummer: 2SK117 RoHS Gehäuse: TO92bul Datenblatt

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490 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	500+
Nettopreis (EUR)	0,5866	0,3525	0,2697	0,2436	0,2342

Max. Drainstrom:	14mA
Maximaler Leistungsverlust:	300mW
Gehäuse:	TO92
Hersteller:	ZEHUA
Msx. Drain-Gate Spannung:	50V
Transistor-Typ:	N-JFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 125°C
Montage:	THT