2SK2542

Symbol Micros: T2SK2542
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 500V; 30V; 850 mOhm; 8A; 80W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 850mOhm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 80W
Gehäuse: TO220
Hersteller: TOSHIBA
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Msx. Drain-Gate Spannung: 500V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 850mOhm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 80W
Gehäuse: TO220
Hersteller: TOSHIBA
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Msx. Drain-Gate Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT