2SK2746

Symbol Micros: T2SK2746
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Gehäuse: TO 3P
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 800V; 30V; 1,7 Ohm; 7A; 150 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,7Ohm
Max. Drainstrom: 7A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: TOSHIBA
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Msx. Drain-Gate Spannung: 800V
Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: 2SK2746 Gehäuse: TO 3P Datenblatt
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Anzahl Stück 1+ 2+ 5+ 10+ 17+
Nettopreis (EUR) 2,2619 1,9190 1,6301 1,4891 1,4140
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17
Widerstand im offenen Kanal: 1,7Ohm
Max. Drainstrom: 7A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: TOSHIBA
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Msx. Drain-Gate Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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