2SK3018-TP

Symbol Micros: T2SK3018-TP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 13Ohm; 100mA; 200 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 13Ohm
Max. Drainstrom: 100mA
Maximaler Leistungsverlust: 200mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: Micro Comercial Components Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Micro Commercial Components Corp. Hersteller-Teilenummer: 2SK3018-TP RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1415 0,0671 0,0379 0,0288 0,0257
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Micro Commercial Components Corp. Hersteller-Teilenummer: 2SK3018-TP Gehäuse: SOT323  
Externes Lager:
102000 stk.
Anzahl Stück 2203+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0521
Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 13Ohm
Max. Drainstrom: 100mA
Maximaler Leistungsverlust: 200mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: Micro Comercial Components Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD