2SK3018-TP
Symbol Micros:
T2SK3018-TP
Gehäuse: SOT323
N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 13Ohm; 100mA; 200 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 13Ohm |
Max. Drainstrom: | 100mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 200mW |
Gehäuse: | SOT323 |
Hersteller: | Micro Comercial Components Corp. |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Micro Commercial Components Corp.
Hersteller-Teilenummer: 2SK3018-TP RoHS
Gehäuse: SOT323 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1415 | 0,0671 | 0,0379 | 0,0288 | 0,0257 |
Hersteller: Micro Commercial Components Corp.
Hersteller-Teilenummer: 2SK3018-TP
Gehäuse: SOT323
Externes Lager:
102000 stk.
Anzahl Stück | 2203+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0521 |
Widerstand im offenen Kanal: | 13Ohm |
Max. Drainstrom: | 100mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 200mW |
Gehäuse: | SOT323 |
Hersteller: | Micro Comercial Components Corp. |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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