2SK3564(Q,M)
Symbol Micros:
T2SK3564
Gehäuse:
N-MOSFET 3A 900V 40W 3.7Ω 2SK3564 2SK3564(STA4,Q) 2SK3564(STA4,Q,M)
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 3,7Ohm |
| Max. Drainstrom: | 3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 40W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | TOSHIBA |
| Max. Drain-Source Spannung: | 900V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 900V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 3,7Ohm |
| Max. Drainstrom: | 3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 40W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | TOSHIBA |
| Max. Drain-Source Spannung: | 900V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 900V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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