2SK3564(Q,M)

Symbol Micros: T2SK3564
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse:  
N-MOSFET 3A 900V 40W 3.7Ω 2SK3564 2SK3564(STA4,Q) 2SK3564(STA4,Q,M)
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,7Ohm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: TOSHIBA
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Msx. Drain-Gate Spannung: 900V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 3,7Ohm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: TOSHIBA
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Msx. Drain-Gate Spannung: 900V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT