2SK3564(Q,M)
Symbol Micros:
T2SK3564
Gehäuse:
N-MOSFET 3A 900V 40W 3.7Ω 2SK3564 2SK3564(STA4,Q) 2SK3564(STA4,Q,M)
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 3,7Ohm |
Max. Drainstrom: | 3A |
Maximaler Leistungsverlust: | 40W |
Gehäuse: | TO220iso |
Hersteller: | TOSHIBA |
Max. Drain-Source Spannung: | 900V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 900V |
Widerstand im offenen Kanal: | 3,7Ohm |
Max. Drainstrom: | 3A |
Maximaler Leistungsverlust: | 40W |
Gehäuse: | TO220iso |
Hersteller: | TOSHIBA |
Max. Drain-Source Spannung: | 900V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 900V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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