2SK3878 JSMICRO

Symbol Micros: T2SK3878 JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3P
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 30V; 1,3 Ohm; 9A; 150W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: 2SK3878(F); 2SK3878(STA1,E,S);
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,3Ohm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: 2SK3878 RoHS Gehäuse: TO 3P  
Auf Lager:
2 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,7874 1,4187 1,2824 1,2120 1,1908
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Standard-Verpackung:
20
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: 2SK3878 RoHS Gehäuse: TO 3P  
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,7874 1,4187 1,2590 1,2026 1,1908
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Standard-Verpackung:
30
Widerstand im offenen Kanal: 1,3Ohm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

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