2SK4013

Symbol Micros: T2SK4013
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 800V; 30V; 1,7 Ohm; 6A; 45W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2SK4013(STA4,Q,M);
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,7Ohm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: TOSHIBA
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Msx. Drain-Gate Spannung: 800V
Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: 2SK4013 RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,4539 1,1110 0,9184 0,8056 0,7657
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 1,7Ohm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: TOSHIBA
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Msx. Drain-Gate Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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