2SK4013

Symbol Micros: T2SK4013

Gehäuse: TO220iso

N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 800V; 30V; 1,7 Ohm; 6A; 45W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2SK4013(STA4,Q,M);

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	1,7Ohm
Max. Drainstrom:	6A
Maximaler Leistungsverlust:	45W
Gehäuse:	TO220iso
Hersteller:	Toshiba
Max. Drain-Source Spannung:	800V
Msx. Drain-Gate Spannung:	800V

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2026-10-30

Anzahl Stück: 100

Widerstand im offenen Kanal:	1,7Ohm
Max. Drainstrom:	6A
Maximaler Leistungsverlust:	45W
Gehäuse:	TO220iso
Hersteller:	Toshiba
Max. Drain-Source Spannung:	800V
Msx. Drain-Gate Spannung:	800V
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT