MOT5N50F TO-220F MOT

Symbol Micros: T5N50F MOT
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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Transistor N-Kanal MOSFET; 500V; 30V; 1,85Ohm; 5A; 30W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF830PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,85Ohm
Max. Drainstrom: 5A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: MOT
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: MOT- Hersteller-Teilenummer: MOT5N50F RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
900 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 200+ 900+
Nettopreis (EUR) 0,3613 0,2362 0,1691 0,1478 0,1389
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Standard-Verpackung:
50/900
Widerstand im offenen Kanal: 1,85Ohm
Max. Drainstrom: 5A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: MOT
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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