MOT65R099F TO-220F

Symbol Micros: T65R099F MOT
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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650V 40A 99mOhm@10V 35W 4V@0.25mA TO-220F Single FETs, MOSFETs ROHS Äquivalent: ONSEMI FCPF099N65S3;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 99mOhm
Max. Drainstrom: 24A
Maximaler Leistungsverlust: 39W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: MOT
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 99mOhm
Max. Drainstrom: 24A
Maximaler Leistungsverlust: 39W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: MOT
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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