MOT65R099F TO-220F

Symbol Micros: T65R099F MOT
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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650V 40A 99mOhm@10V 35W 4V@0.25mA TO-220F Single FETs, MOSFETs ROHS Äquivalent: ONSEMI FCPF099N65S3;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 99mOhm
Max. Drainstrom: 24A
Maximaler Leistungsverlust: 39W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: MOT
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: MOT Hersteller-Teilenummer: MOT65R099HF RoHS Gehäuse: TO220iso  
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100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,9854 1,5763 1,3717 1,3461 1,3229
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 99mOhm
Max. Drainstrom: 24A
Maximaler Leistungsverlust: 39W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: MOT
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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