MOT65R850F TO-220F MOT
Symbol Micros:
T65R850F MOT
Gehäuse: TO220iso
650V 4A 20W 850mOhm@10V, TO-220F Single FETs, MOSFETs ROHS ; SUPER JUNCTION N-CHANNEL MOSFET ODPOWIEDNIK: ONSEMI FCPF850N65Z;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 850mOhm |
| Max. Drainstrom: | 4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 20W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | MOT |
| Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: MOT
Hersteller-Teilenummer: MOT65R850F RoHS
Gehäuse: TO220iso
Auf Lager:
200 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7240 | 0,4584 | 0,3620 | 0,3291 | 0,3150 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 850mOhm |
| Max. Drainstrom: | 4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 20W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | MOT |
| Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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