MOT7N65F TO-220F

Symbol Micros: T7N65F MOT
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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TRANSISTOR ODPOWIEDNIK: MAGNACHIP MDF7N65BTH;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,12Ohm
Max. Drainstrom: 7A
Maximaler Leistungsverlust: 36W
Gehäuse: TO-220F
Hersteller: MOT
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Msx. Drain-Gate Spannung: 4V
Hersteller: MOT Hersteller-Teilenummer: MOT7N65F RoHS Gehäuse: TO220iso  
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8614 0,5460 0,4307 0,3907 0,3742
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Standard-Verpackung:
50/200
Widerstand im offenen Kanal: 1,12Ohm
Max. Drainstrom: 7A
Maximaler Leistungsverlust: 36W
Gehäuse: TO-220F
Hersteller: MOT
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Msx. Drain-Gate Spannung: 4V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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